Ich stimme dem, was Sparky schrieb während ich meinen Beitrag verfaßt habe, zu.
Wie schon vorher gesagt: EEPROM (Electronic Erasable Programmable Read Only Memory) oder Flash ROM kann in der Schaltung programmiert werden. FlashROM ist eine geschützt Bezeichnung von Intel, deshalb heißt es von anderen Herstellern eben EEPROM. (MultiSync ist von NEC geschützt, deshalb heißen z.B. Sony Multiscan ...)
EPROM muß vor dem Programmieren erst gelöscht werden.
Unterschied zwischen Programmieren und Lese/Schreiben ist der bereichsweise (nicht nur nur einzelne Zelle) bzw. wahlfreie (random) Zugriff.
PROM (Programable Read-Only Memory, einmal bereichsweise beschreiben/programmieren, dann nur (auch wahlfrei) lesen )
RAM (Random Access Memory, schreiben/lesen nach belieben auch einzelne Zellen)
DRAM (=Dynamisches RAM, Hauptspeicher) verliert seinen Inhalt, wenn keine Spannung anliegt und kein regelmäßiger Refresh kommt.
SRAM (=Statisches RAM, seltener bzw. nur früher als Hauptspeicher) benötigt keinen Refresh aber eine Versorgungsspannung. Gibt es nur in kleinen Kapazitäten (2, 8, 16, 32KB, ... alles nur im Kilo Byte Bereich).
NVRAM (Non Volatile RAM, "Nicht flüchtiges" RAM) benötigt keinen Refresh (und die damit verbundene Logik) aber eine Versorgungsspannung (dafür die kleine eingegossene Batterie), sonst verliert es seinen Inhalt. NVRAM ist demnach SRAM mit Batterie.
Wahrscheinlich kann es Erisch noch besser erklären ...
Michael